Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=200 V, 150 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, SUM90100E-GE3, TrenchFET系列

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RS 库存编号:
228-2987P
制造商零件编号:
SUM90100E-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

150A

最大漏源电压 Vd

200V

包装类型

TO-263

系列

TrenchFET

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

11.4mΩ

通道模式

增强

正向电压 Vf

0.8V

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

375W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

72.8nC

最大栅源电压 Vgs

20 V

最高工作温度

175°C

标准/认证

No

汽车标准

Vishay N 沟道 200V (D-S) MOSFET。

经过 100 % Rg 和 UIS 测试

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。