Vishay P沟道增强型MOS管, Vds=80 V, 150 A, TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, TrenchFET系列
- RS 库存编号:
- 228-2990
- 制造商零件编号:
- SUP60061EL-GE3
- 制造商:
- Vishay
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | RMB31.15 | RMB62.30 |
| 10 - 48 | RMB30.375 | RMB60.75 |
| 50 - 98 | RMB29.615 | RMB59.23 |
| 100 - 248 | RMB28.87 | RMB57.74 |
| 250 + | RMB28.145 | RMB56.29 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 228-2990
- 制造商零件编号:
- SUP60061EL-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 150 A | |
| 最大漏源电压 | 80 V | |
| 封装类型 | TO-220AB | |
| 系列 | TrenchFET | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 0.0058 Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 2.5V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 150 A | ||
最大漏源电压 80 V | ||
封装类型 TO-220AB | ||
系列 TrenchFET | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 0.0058 Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 2.5V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
晶体管材料 Si | ||
Vishay P 通道 80 V (D-S) MOSFET。
经过 100 % Rg 和 UIS 测试