Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=200 V, Id=150 A, 3针, TO-220, TrenchFET系列

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包装方式:
RS 库存编号:
228-2992P
制造商零件编号:
SUP90100E-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

150A

最大漏源电压 Vd

200V

系列

TrenchFET

包装类型

TO-220

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

10.9mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

375W

正向电压 Vf

0.8V

最大栅源电压 Vgs

20V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

72.8nC

最高工作温度

175°C

标准/认证

No

汽车标准

否

Vishay N 通道 200 V (D-S) MOSFET。

经过 100 % Rg 和 UIS 测试

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