STMicroelectronics N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=80 V, 95 A, PowerFLAT, 表面安装, 8引脚
- RS 库存编号:
- 228-3031P
- 制造商零件编号:
- STL105N8F7AG
- 制造商:
- STMicroelectronics
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|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 228-3031P
- 制造商零件编号:
- STL105N8F7AG
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 95A | |
| 最大漏源电压 Vd | 80V | |
| 包装类型 | PowerFLAT | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 6.5Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 46nC | |
| 最大功耗 Pd | 127W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 95A | ||
最大漏源电压 Vd 80V | ||
包装类型 PowerFLAT | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 6.5Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 46nC | ||
最大功耗 Pd 127W | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
STMicroelectronics N 通道功率 MOSFET 利用 STripFET F7 技术，具有增强型沟道栅极结构，可产生非常低的通态电阻，同时还可减少内部电容和栅极电荷，实现更快，更高效的切换。
在市场上最低的 RDS (接通) 中
出色的 FOM (业绩数字)
低 CRS/Ciss 比，提供 EMI 抗扰性
高耐雪崩性