STMicroelectronics N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=600 V, 46 A, TO-LL, 表面安装, 8引脚, STO65N60DM6
- RS 库存编号:
- 228-3053
- 制造商零件编号:
- STO65N60DM6
- 制造商:
- STMicroelectronics
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | RMB40.365 | RMB80.73 |
| 10 - 98 | RMB39.36 | RMB78.72 |
| 100 - 248 | RMB38.365 | RMB76.73 |
| 250 - 498 | RMB37.405 | RMB74.81 |
| 500 + | RMB36.475 | RMB72.95 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 228-3053
- 制造商零件编号:
- STO65N60DM6
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 46A | |
| 最大漏源电压 Vd | 600V | |
| 包装类型 | TO-LL | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 76mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.6V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 65.2nC | |
| 最大功耗 Pd | 320W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 25 V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 46A | ||
最大漏源电压 Vd 600V | ||
包装类型 TO-LL | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 76mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.6V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 65.2nC | ||
最大功耗 Pd 320W | ||
最大栅源电压 Vgs 25 V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
STMicroelectronics 高电压 N 通道功率 MOSFET 是 MDmesh DM6 快速恢复二极管系列的一部分。与之前的 MDmesh 快速生成相比， DM6 将每个区域的 RDS (接通) 的极低恢复电荷 (Qrr) ，恢复时间 (TRR) 和出色的改进与严苛的高效桥接拓扑和 ZVS 相移转换器市场上最有效的切换行为之一相结合。
快速恢复体二极管
与上一代产品相比，每个区域的 RDS (接通) 较低
低栅极电荷，输入电容和电阻
通过 100% 雪崩测试
极高 dv/dt 坚固性
提供齐纳保护
得益于额外的驱动源引脚，具有出色的切换性能