Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=55 V, 110 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, AUIRF系列

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229-1728
制造商零件编号:
AUIRF3205ZSTRL
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

110A

最大漏源电压 Vd

55V

系列

AUIRF

包装类型

TO-263

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

6.5mΩ

通道模式

增强

最大功耗 Pd

170W

正向电压 Vf

1.3V

最大栅源电压 Vgs

20 V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

76nC

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

175°C

高度

4.83mm

长度

10.67mm

标准/认证

No

宽度

9.65 mm

汽车标准

AEC-Q101

Infineon 功率 MOSFET 利用最新处理技术,实现每硅区域极低的接通电阻。此设计的附加功能包括 175°C 接点工作温度,快速切换速度和改进的重复雪崩额定值。这些功能相结合,使此设计成为极其高效和可靠的设备,适用于汽车应用和各种其他应用。

它符合 RoHS 标准且符合 AEC Q101 标准

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。