Infineon P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=150 V, 13 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, AUIRF系列

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RS 库存编号:
229-1733
制造商零件编号:
AUIRF6215STRL
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

P型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

13A

最大漏源电压 Vd

150V

包装类型

TO-263

系列

AUIRF

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

290mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

20 V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

66nC

正向电压 Vf

-1.6V

最大功耗 Pd

110W

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

175°C

宽度

9.65 mm

标准/认证

No

高度

4.83mm

长度

10.67mm

汽车标准

AEC-Q101

Infineon 单 p 沟道 HEXFET 功率 MOSFET ,采用 D2-Pak 封装。它具有快速切换和完全耐雪崩等级。它无铅且具有低接通电阻。

它符合 RoHS 标准且符合 AEC 标准

它具有 175°C 工作温度