Infineon , 2 N型沟道 双 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 70 A, PQFN, 表面安装, 8引脚, HEXFET系列, AUIRFN8459TR
- RS 库存编号:
- 229-1740
- 制造商零件编号:
- AUIRFN8459TR
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | RMB22.694 | RMB113.47 |
| 10 - 95 | RMB22.126 | RMB110.63 |
| 100 - 245 | RMB21.572 | RMB107.86 |
| 250 - 495 | RMB21.03 | RMB105.15 |
| 500 + | RMB20.508 | RMB102.54 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 229-1740
- 制造商零件编号:
- AUIRFN8459TR
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 70A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 包装类型 | PQFN | |
| 系列 | HEXFET | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 5.9mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 40nC | |
| 最大功耗 Pd | 50W | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 晶体管配置 | 双 | |
| 长度 | 5mm | |
| 高度 | 1.2mm | |
| 宽度 | 5.85 mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 70A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
包装类型 PQFN | ||
系列 HEXFET | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 5.9mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 40nC | ||
最大功耗 Pd 50W | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
最高工作温度 175°C | ||
晶体管配置 双 | ||
长度 5mm | ||
高度 1.2mm | ||
宽度 5.85 mm | ||
标准/认证 No | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Infineon 双 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET 采用 PQFN 5 x 6 L 封装，可实现高达 Tjmax 的重复雪崩。 它具有快速切换速度和无铅。
它符合 RoHS 标准
它具有 175°C 工作温度
它具有超低接通电阻