Infineon P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 13 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, AUIRF系列

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RS 库存编号:
229-1741
制造商零件编号:
AUIRFR5410TRL
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

P型

最大连续漏极电流 Id

13A

最大漏源电压 Vd

100V

系列

AUIRF

包装类型

TO-252

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

205mΩ

通道模式

增强

正向电压 Vf

-1.6V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

58nC

最大功耗 Pd

66W

最大栅源电压 Vgs

20 V

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

150°C

高度

2.39mm

标准/认证

No

宽度

6.73 mm

长度

6.22mm

汽车标准

AEC-Q101

Infineon p 沟道 MOSFET 利用最新处理技术实现每硅区域低接通电阻。此优势结合 HEXFET 功率非常适合闻名的快速切换速度和耐震设备设计,为设计人员提供极其高效和可靠的设备,适用于汽车和各种其他应用。

它是无铅的

它符合 RoHS 标准