Infineon P沟道增强型MOS管, Vds=150 V, 13 A, DPAK (TO-252), 贴片安装, 3引脚, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 229-1743
- 制造商零件编号:
- AUIRFR6215TRL
- 制造商:
- Infineon
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|---|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 229-1743
- 制造商零件编号:
- AUIRFR6215TRL
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 13 A | |
| 最大漏源电压 | 150 V | |
| 系列 | HEXFET | |
| 封装类型 | DPAK (TO-252) | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 0.295 Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 晶体管材料 | 硅 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 13 A | ||
最大漏源电压 150 V | ||
系列 HEXFET | ||
封装类型 DPAK (TO-252) | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 0.295 Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
晶体管材料 硅 | ||
Infineon 单 p 沟道 HEXFET 功率 MOSFET 采用 D 封装，允许重复雪崩高达 Tjmax。 它具有快速切换速度和无铅。
它符合 RoHS 标准且符合 AEC 标准
它具有 175°C 工作温度
它具有 175°C 工作温度