Infineon P型沟道增强型MOSFET, Vds=150 V, Id=13 A, 3针, TO-252, AUIRF系列

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包装方式:
RS 库存编号:
229-1744P
制造商零件编号:
AUIRFR6215TRL
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

P型

最大连续漏极电流 Id

13A

最大漏源电压 Vd

150V

包装类型

TO-252

系列

AUIRF

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

295mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

20V

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

110W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

66nC

正向电压 Vf

-1.6V

最高工作温度

175°C

宽度

6.73mm

高度

2.39mm

标准/认证

No

长度

6.22mm

汽车标准

AEC-Q101

Infineon 单 p 沟道 HEXFET 功率 MOSFET 采用 D 封装,允许重复雪崩高达 Tjmax。 它具有快速切换速度和无铅。

它符合 RoHS 标准且符合 AEC 标准

它具有 175°C 工作温度

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