Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=80 V, 165 A, HSOF-8., 贴片安装, 8引脚, OptiMOS™ 5系列
- RS 库存编号:
- 229-1807
- 制造商零件编号:
- IAUT165N08S5N029ATMA2
- 制造商:
- Infineon
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|---|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 229-1807
- 制造商零件编号:
- IAUT165N08S5N029ATMA2
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 165 A | |
| 最大漏源电压 | 80 V | |
| 封装类型 | HSOF-8. | |
| 系列 | OptiMOS™ 5 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻值 | 0.0029 Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 3.8V | |
| 晶体管材料 | 硅 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 165 A | ||
最大漏源电压 80 V | ||
封装类型 HSOF-8. | ||
系列 OptiMOS™ 5 | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻值 0.0029 Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 3.8V | ||
晶体管材料 硅 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
80V,N 通道,2.9 mΩ 最大值,汽车 MOSFET,TOLL,OptiMOSTM-5
功能摘要
• N 通道 - 增强模式
• 通过 AEC 认证
• MSL1 高达 260°C 峰值回流
• 工作温度 175°C
• 绿色产品（符合 RoHS 标准）
• 超低 Rds(on)
• 100%的Avalanche测试
• 通过 AEC 认证
• MSL1 高达 260°C 峰值回流
• 工作温度 175°C
• 绿色产品（符合 RoHS 标准）
• 超低 Rds(on)
• 100%的Avalanche测试