Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=80 V, 165 A, HSOF, 表面安装, 8引脚, IAUT165N08S5N029ATMA2, IAUT系列
- RS 库存编号:
- 229-1808
- 制造商零件编号:
- IAUT165N08S5N029ATMA2
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | RMB19.082 | RMB95.41 |
| 10 - 95 | RMB18.604 | RMB93.02 |
| 100 - 245 | RMB18.14 | RMB90.70 |
| 250 - 495 | RMB17.684 | RMB88.42 |
| 500 + | RMB17.244 | RMB86.22 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 229-1808
- 制造商零件编号:
- IAUT165N08S5N029ATMA2
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 165A | |
| 最大漏源电压 Vd | 80V | |
| 系列 | IAUT | |
| 包装类型 | HSOF | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 2.9mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 165A | ||
最大漏源电压 Vd 80V | ||
系列 IAUT | ||
包装类型 HSOF | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 2.9mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
80V,N 通道,2.9 mΩ 最大值,汽车 MOSFET,TOLL,OptiMOSTM-5
功能摘要
• N 通道 - 增强模式
• 通过 AEC 认证
• MSL1 高达 260°C 峰值回流
• 工作温度 175°C
• 绿色产品（符合 RoHS 标准）
• 超低 Rds(on)
• 100%的Avalanche测试