Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=80 V, Id=300 A, 8针, HSOF, IAUT系列

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包装方式：
RS 库存编号:
229-1811
制造商零件编号:
IAUT300N08S5N012ATMA2
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

300A

最大漏源电压 Vd

80V

包装类型

HSOF

系列

IAUT

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

1.2mΩ

通道模式

增强

最大功耗 Pd

375W

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1.2V

最高工作温度

+175°C

标准/认证

No

汽车标准

AEC-Q101

Infineon IAUT 系列 MOSFET,80V 最大漏源电压,300A 最大连续漏电流 - IAUT300N08S5N012ATMA2


这款 MOSFET 是一款高电流 N 沟道增强装置,专为严苛的汽车和工业电源开关功能而设计。它可在宽环境范围内运行,并采用表面贴装式 HSOF 封装,适用于大电流板布局。该设备专为承受典型汽车栅极偏移而设计,并提供稳健的功率转换和电机驱动应用所需的电压和电流容量。

特性和优点：


• 1.2mΩ 的低导通电阻可减少传导损耗和热量
• 80V 漏电额定值支持高压开关应用
• 300 A 连续漏电流支持高电流负载
• 375 W 最大耗散,可实现持久功率处理
• ±20V 栅极容差可适应汽车栅极驱动信号
• AEC-Q101 认证符合汽车应力屏蔽要求

应用


• 适用于电动车辆的牵引变频器级别
• 适用于高电流直流-直流转换器输出
• 与电机驱动逆变器和牵引控制器配合使用
• 可用于汽车系统的配电
• 适用于需要表面贴装组装的工业电源模块

这款设备能承受哪些极端温度?


额定工作温度范围为-55°C至+175°C。

采用哪种封装类型和安装技术?


该设备采用 HSOF 封装,适用于表面安装。

该设备如何处理汽车系统中的栅极应力?


它支持高达±20V的栅极源电压,可满足典型的汽车驱动空间。

它采用哪种通道传导模式和类型?


它是一款增强模式 N 通道设备,专为开关应用而设计。

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