Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=80 V, 300 A, HSOF, 表面安装, 8引脚, IAUT300N08S5N012ATMA2, IAUT系列
- RS 库存编号:
- 229-1811
- 制造商零件编号:
- IAUT300N08S5N012ATMA2
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计(1 包,共 2 件)*
¥66.92
(不含税)
¥75.62
(含税)
有库存
- 1,500 件将从其他地点发货
**需要更多产品?**输入您需要的数量,点击“查看送货日期”,查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | RMB33.46 | RMB66.92 |
| 10 - 98 | RMB32.62 | RMB65.24 |
| 100 - 248 | RMB31.805 | RMB63.61 |
| 250 - 498 | RMB31.015 | RMB62.03 |
| 500 + | RMB30.245 | RMB60.49 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 229-1811
- 制造商零件编号:
- IAUT300N08S5N012ATMA2
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 300A | |
| 最大漏源电压 Vd | 80V | |
| 系列 | IAUT | |
| 包装类型 | HSOF | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.2mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 300A | ||
最大漏源电压 Vd 80V | ||
系列 IAUT | ||
包装类型 HSOF | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.2mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Infineon n 通道 MOSFET 具有 175°C 工作温度和 100% 雪崩测试。
它符合 RoHS 标准且符合 AEC Q101 标准
