Infineon P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 120 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, iPB系列
- RS 库存编号:
- 229-1819P
- 制造商零件编号:
- IPB120P04P4L03ATMA2
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计 10 件 (按连续条带形式提供)*
¥249.18
(不含税)
¥281.57
(含税)
有库存
- 630 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 10 - 95 | RMB24.918 |
| 100 - 245 | RMB24.294 |
| 250 - 495 | RMB23.686 |
| 500 + | RMB23.096 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 229-1819P
- 制造商零件编号:
- IPB120P04P4L03ATMA2
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 120A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 系列 | iPB | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 3.1mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 P型 | ||
最大连续漏极电流 Id 120A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
系列 iPB | ||
包装类型 TO-263 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 3.1mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
IPB120P04P4L-03,-40V,P 通道,最大 3.1 mΩ,汽车 MOSFET,D2PAK,OptiMOSTM-P2
Infineon p 通道逻辑级 MOSFET 具有最高电流能力和 100% 浪涌测试。它具有最低的切换和传导功率损耗,可实现最高热效率。
功能摘要
• P 通道 - 逻辑电平 - 增强模式
• AEC 认证
• MSL1 高达 260°C 峰值回流
• 175°C 工作温度
• 绿色封装(符合 RoHS 标准)
• 100% Avalanche 测试
福利
• 无需充电泵用于高侧驱动。
• 简单的接口驱动电路
• 40V 时,世界上最低的 RDSon
• 最高电流容量
• 最低的切换和传导功率损耗,实现最高热效率
• 坚固的封装,具有卓越的质量和可靠性
• 标准套件 TO-252、TO-263、TO-220、TO-262
潜在应用
• 高侧 MOSFET,用于电动机桥接(半桥接、H 桥接、3 相电动机)
• 可通过 40V P 通道实现桥接配置,作为高侧设备,无需充电泵