Infineon P型沟道增强型 MOSFET, Vds=40 V, 120 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, iPB系列

RS 库存编号:: 229-1819P
制造商零件编号:: IPB120P04P4L03ATMA2
制造商:: Infineon

Infineon P型沟道增强型 MOSFET, Vds=40 V, 120 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, iPB系列

可享批量折扣

查看批量定价选项

小计 10 件 (按连续条带形式提供)*

RMB249.86

(不含税)

RMB282.34

605 件将从其他地点发货

**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。

单位	每单位
10 - 95	RMB24.986
100 - 245	RMB24.36
250 - 495	RMB23.75
500 +	RMB23.16

* 参考价格

RS 库存编号:: 229-1819P
制造商零件编号:: IPB120P04P4L03ATMA2
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

通过选择一个或多个属性来查找类似产品。

选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	P型
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	120A
	最大漏源电压 Vd	40V
	系列	iPB
	包装类型	TO-263
	安装类型	表面
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	3.1mΩ
	通道模式	增强
	标准/认证	No
	汽车标准	AEC-Q101

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 P型
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 120A
	最大漏源电压 Vd 40V
	系列 iPB
	包装类型 TO-263
	安装类型表面
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 3.1mΩ
	通道模式增强
	标准/认证 No
	汽车标准 AEC-Q101

Datasheet - IPB120P04P4L03ATMA2

IPB120P04P4L-03,-40V,P 通道,最大 3.1 mΩ,汽车 MOSFET,D2PAK,OptiMOSTM-P2

Infineon p 通道逻辑级 MOSFET 具有最高电流能力和 100% 浪涌测试。它具有最低的切换和传导功率损耗,可实现最高热效率。

功能摘要

• P 通道 - 逻辑电平 - 增强模式

• AEC 认证

• MSL1 高达 260°C 峰值回流

• 175°C 工作温度

• 绿色封装(符合 RoHS 标准)

• 100% Avalanche 测试

福利

• 无需充电泵用于高侧驱动。

• 简单的接口驱动电路

• 40V 时,世界上最低的 RDSon

• 最高电流容量

• 最低的切换和传导功率损耗,实现最高热效率

• 坚固的封装,具有卓越的质量和可靠性

• 标准套件 TO-252、TO-263、TO-220、TO-262

潜在应用

• 高侧 MOSFET,用于电动机桥接(半桥接、H 桥接、3 相电动机)

Infineon P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 120 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, iPB系列

批量定价选项

IPB120P04P4L-03,-40V,P 通道,最大 3.1 mΩ,汽车 MOSFET,D2PAK,OptiMOSTM-P2

功能摘要

福利

潜在应用

相关链接

Infineon P型沟道增强型 MOSFET, Vds=40 V, 120 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, iPB系列