Infineon P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 180 A, TO-263, 表面安装, 7引脚, iPB系列
- RS 库存编号:
- 229-1820
- 制造商零件编号:
- IPB180P04P4L02ATMA2
- 制造商:
- Infineon
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 229-1820
- 制造商零件编号:
- IPB180P04P4L02ATMA2
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 180A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 系列 | iPB | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 7 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 2.4mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 P型 | ||
最大连续漏极电流 Id 180A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
包装类型 TO-263 | ||
系列 iPB | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 7 | ||
最大漏源电阻 Rd 2.4mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Infineon p 通道逻辑电平 MOSFET 具有最高电流容量和 100% 雪崩测试。它具有最低的切换和传导功率损耗，可实现最高热效率和反向电池保护。
它符合 RoHS 标准且符合 AEC 标准
它具有 175°C 工作温度
它采用坚固的封装