Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 50 A, SuperSO, 表面安装, 8引脚, IPC系列
- RS 库存编号:
- 229-1829
- 制造商零件编号:
- IPC50N04S55R8ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 229-1829
- 制造商零件编号:
- IPC50N04S55R8ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 50A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 系列 | IPC | |
| 包装类型 | SuperSO | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 5.8mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1.1V | |
| 最大功耗 Pd | 42W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 13nC | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 1.1mm | |
| 宽度 | 5.58 mm | |
| 长度 | 5.25mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 50A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
系列 IPC | ||
包装类型 SuperSO | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 5.8mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1.1V | ||
最大功耗 Pd 42W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 13nC | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 No | ||
高度 1.1mm | ||
宽度 5.58 mm | ||
长度 5.25mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
40V,N 通道,最大 0.9 mΩ,汽车 MOSFET,PQNF,OptiMOSTM-6
Infineon 推出最新的 OptiMOSTM6 40V 功率 MOS 技术,采用 5x6mm2 SS08 无引线封装,具有最高质量水平和坚固性,适用于汽车应用。一系列 16 种产品(0.8mΩ 至 4.4mΩ 的 RDSon_max 适用于从低功率(例如主体应用)到高功率(例如 EPS)的整个应用范围,使客户能够找到适合其应用的最佳产品。
所有这些都实现了市场上最佳产品 FOM (RDSon x Qg) 和性能。新型 SS08 产品提供 120A 连续电流额定值,即 >比标准 DPAK 高出 25%,其足迹面积接近一半。
此外,新一代 SS08 封装通过使用新铜夹式互接触技术,可实现出色的切换性能和 EMI 行为,由于封装电感极低(与传统封装(例如 DPAK、D2PAK)相比,封装电感降低 4 倍)。
功能摘要
• OptiMOSTM - 功率 MOSFET,用于汽车应用
• N 通道 - 增强模式 - 正常水平
• AEC Q101 认证
• MSL1 高达 260°C 峰值回流
• 工作温度 175°C
• 绿色产品(符合 RoHS 标准)
• 100%的Avalanche测试