Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=40 V, 50 A, SuperSO8 5 x 6, 贴片安装, 8引脚, OptiMOS™ 5系列
- RS 库存编号:
- 229-1830P
- 制造商零件编号:
- IPC50N04S55R8ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 30 - 75 | RMB2.705 |
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| 240 - 465 | RMB2.571 |
| 480 + | RMB2.507 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 229-1830P
- 制造商零件编号:
- IPC50N04S55R8ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 50 A | |
| 最大漏源电压 | 40 V | |
| 封装类型 | SuperSO8 5 x 6 | |
| 系列 | OptiMOS™ 5 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻值 | 0.0058 Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 3.4V | |
| 晶体管材料 | 硅 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 50 A | ||
最大漏源电压 40 V | ||
封装类型 SuperSO8 5 x 6 | ||
系列 OptiMOS™ 5 | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻值 0.0058 Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 3.4V | ||
晶体管材料 硅 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
40V,N 通道,最大 0.9 mΩ,汽车 MOSFET,PQNF,OptiMOSTM-6
Infineon 推出最新的 OptiMOSTM6 40V 功率 MOS 技术,采用 5x6mm2 SS08 无引线封装,具有最高质量水平和坚固性,适用于汽车应用。一系列 16 种产品(0.8mΩ 至 4.4mΩ 的 RDSon_max 适用于从低功率(例如主体应用)到高功率(例如 EPS)的整个应用范围,使客户能够找到适合其应用的最佳产品。
所有这些都实现了市场上最佳产品 FOM (RDSon x Qg) 和性能。新型 SS08 产品提供 120A 连续电流额定值,即 >比标准 DPAK 高出 25%,其足迹面积接近一半。
此外,新一代 SS08 封装通过使用新铜夹式互接触技术,可实现出色的切换性能和 EMI 行为,由于封装电感极低(与传统封装(例如 DPAK、D2PAK)相比,封装电感降低 4 倍)。
所有这些都实现了市场上最佳产品 FOM (RDSon x Qg) 和性能。新型 SS08 产品提供 120A 连续电流额定值,即 >比标准 DPAK 高出 25%,其足迹面积接近一半。
此外,新一代 SS08 封装通过使用新铜夹式互接触技术,可实现出色的切换性能和 EMI 行为,由于封装电感极低(与传统封装(例如 DPAK、D2PAK)相比,封装电感降低 4 倍)。
功能摘要
• OptiMOSTM - 功率 MOSFET,用于汽车应用
• N 通道 - 增强模式 - 正常水平
• AEC Q101 认证
• MSL1 高达 260°C 峰值回流
• 工作温度 175°C
• 绿色产品(符合 RoHS 标准)
• 100%的Avalanche测试
• N 通道 - 增强模式 - 正常水平
• AEC Q101 认证
• MSL1 高达 260°C 峰值回流
• 工作温度 175°C
• 绿色产品(符合 RoHS 标准)
• 100%的Avalanche测试