Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=40 V, Id=50 A, 8针, SuperSO, IPC系列

RS 库存编号:: 229-1830P
制造商零件编号:: IPC50N04S55R8ATMA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=40 V, Id=50 A, 8针, SuperSO, IPC系列

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单位	每单位
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RS 库存编号:: 229-1830P
制造商零件编号:: IPC50N04S55R8ATMA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	50A
	最大漏源电压 Vd	40V
	系列	IPC
	包装类型	SuperSO
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	5.8mΩ
	通道模式	增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	13nC
	最大功耗 Pd	42W
	正向电压 Vf	1.1V
	最低工作温度	-55°C
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最高工作温度	175°C
	长度	5.25mm
	宽度	5.58mm
	高度	1.1mm
	标准/认证	No
	汽车标准	AEC-Q101

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 50A
	最大漏源电压 Vd 40V
	系列 IPC
	包装类型 SuperSO
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 5.8mΩ
	通道模式增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 13nC
	最大功耗 Pd 42W
	正向电压 Vf 1.1V
	最低工作温度 -55°C
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最高工作温度 175°C
	长度 5.25mm
	宽度 5.58mm
	高度 1.1mm
	标准/认证 No
	汽车标准 AEC-Q101

Datasheet - IPC50N04S55R8ATMA1

Infineon IPC系列MOSFET,40V最大漏源电压,50A最大连续漏电流 - IPC50N04S55R8ATMA1

这款 MOSFET 是一款表面贴装功率晶体管,专为要求严苛的电子系统中的开关和控制任务而设计。它可在宽温度范围内工作,适用于恶劣环境,并提供低导通电阻 N 沟道增强装置,以在紧凑型组件中实现高效电流传输。

特性和优点：

• 低 Rds(on) 5.8mΩ 可减少传导损耗并提高效率
• 40V Vds 支持中等电压电源切换能力
• 50A 连续漏电流支持高电流应用
• 42W 的功耗可实现持久的热负载处理
• 13nC 典型栅极电荷,可实现更快的开关速度和更低的驱动能量
• 20V 最大栅极容差可实现稳固的栅极驱动空间

应用

• 适用于汽车配电模块
• 适用于直流-直流转换器输出级
• 适用于需要高连续电流的电机驱动器
• 可用于控制装置中的高电流负载切换
• 用于在高温条件下运行的热应力电子产品

它能在什么温度范围内稳定运行？

它的工作温度范围为 -55°C 至 175°C,可适应广泛的热环境。

它采用哪种包装和安装方式?

它采用紧凑型 SuperSO 封装,适用于表面安装。

用于 PCB 集成的引脚数量有多少?

该设备采用 8 针配置,用于连接和热路径。

它使用哪种通道传导类型,其工作方式是什么?

它是一款N通道设备,在增强模式下运行,需要正向栅极驱动。

此设备是否符合汽车级认证要求？

它符合AEC‐Q101汽车标准,适用于组件选择。