Infineon P型沟道增强型MOSFET, Vds=40 V, Id=85 A, 3针, TO-252, IPD系列

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RS 库存编号:
229-1834
制造商零件编号:
IPD85P04P4L06ATMA2
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

P型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

85A

最大漏源电压 Vd

40V

系列

IPD

包装类型

TO-252

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

6.4mΩ

通道模式

增强

最大功耗 Pd

88W

正向电压 Vf

-1.3V

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

5V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

80nC

最高工作温度

175°C

宽度

6.22mm

长度

6.5mm

高度

2.3mm

标准/认证

No

汽车标准

AEC-Q101

Infineon n 通道逻辑电平功率 MOSFET ，用于汽车应用。它具有最低的切换和传导功率损耗，可实现最高的热效率。它采用坚固的封装，具有卓越的质量和可靠性。

它符合 RoHS 标准且符合 AEC 标准

它具有 175°C 工作温度

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