Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=40 V, Id=90 A, 3针, TO-252, IPD系列

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包装方式：
RS 库存编号:
229-1837P
制造商零件编号:
IPD90N04S4L04ATMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

90A

最大漏源电压 Vd

40V

包装类型

TO-252

系列

IPD

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

3.8mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

46nC

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

71W

正向电压 Vf

1.3V

最大栅源电压 Vgs

20V

最高工作温度

175°C

标准/认证

No

宽度

6.22mm

长度

6.5mm

高度

2.3mm

汽车标准

AEC-Q101

Infineon IPD 系列 MOSFET,40V 最大漏源电压,90A 最大连续漏电流 - IPD90N04S4L04ATMA1


这款 MOSFET 是一款专为高电流直流应用和表面贴装组装而设计的半导体开关,支持扩展温度操作和汽车认证,适用于严苛环境。

特性和优点：


• 最大漏极电流为 90 A,可实现高负载开关容量
• 3.8mΩ 的低Rds(on)可减少运行过程中的传导损耗
• 最大功耗为71W,支持持久热负载
• 栅极电荷为 46 nC,可实现可预测的开关行为
• 漏源电压额定值为 40 V,可防止常见电压瞬变
• 正向二极管电压为 1.3 V,在反向传导过程中限制下降

应用


• 适用于车辆电机驱动级
• 适用于高电流直流-直流转换器输出
• 与汽车电子产品中的配电模块配合使用
• 可用于电源的同步整流
• 适用于电池管理和充电电路

这款组件在恶劣环境中可承受的温度范围是多少?


它可在 -55°C 至 175°C 的温度范围内可靠运行。

它是如何封装的,用于PCB组装和板级安装?


它采用 TO-252 表面贴装封装,用于直接焊接。

为防止损坏,应避免哪些极端栅极电压?


栅极对源电压不得超过 ±20 V,以保持栅极完整性。

它为电路板提供多少路电气连接？


它提供三个引脚,用于 PCB 上的漏极、栅极和源极连接。

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