Infineon , 2 N型沟道 双 N 沟道正常电平 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 20 A, SuperSO, 表面安装, 8引脚, IPG系列, IPG20N04S409ATMA1
- RS 库存编号:
- 229-1841P
- 制造商零件编号:
- IPG20N04S409ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 229-1841P
- 制造商零件编号:
- IPG20N04S409ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 20A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 系列 | IPG | |
| 包装类型 | SuperSO | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 8.6mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 0.9V | |
| 最大功耗 Pd | 54W | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 28nC | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 晶体管配置 | 双 N 沟道正常电平 | |
| 长度 | 5.15mm | |
| 宽度 | 5.9 mm | |
| 高度 | 1mm | |
| 标准/认证 | RoHS Compliant | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 20A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
系列 IPG | ||
包装类型 SuperSO | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 8.6mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 0.9V | ||
最大功耗 Pd 54W | ||
最大栅源电压 Vgs ±20 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 28nC | ||
最高工作温度 175°C | ||
晶体管配置 双 N 沟道正常电平 | ||
长度 5.15mm | ||
宽度 5.9 mm | ||
高度 1mm | ||
标准/认证 RoHS Compliant | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Infineon 双 N 通道正常电平 MOSFET 具有与具有相同板牙尺寸的 DPAK 相同的热和电气性能。它的外露垫提供出色的热传输。它是一个封装中的两个 n 通道，带 2 个隔离引线框。
它符合 RoHS 标准且符合 AEC Q101 标准
它具有 175°C 工作温度