Infineon P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 120 A, TO-220, 表面安装, 3引脚, IPP系列

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包装方式：
RS 库存编号:
229-1847P
制造商零件编号:
IPP120P04P4L03AKSA2
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

P型

最大连续漏极电流 Id

120A

最大漏源电压 Vd

40V

系列

IPP

包装类型

TO-220

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

3.4mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

180nC

最大功耗 Pd

136W

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

-1.3V

最大栅源电压 Vgs

5 V

最高工作温度

175°C

长度

15.65mm

高度

2.54mm

宽度

15.95 mm

标准/认证

No

汽车标准

AEC

英飞凌系列 IPP MOSFET，120A 最大连续漏极电流，40V 最大漏极源电压 - IPP120P04P4L03AKSA2


这款硅 MOSFET 专为在各种应用中实现高性能而设计。该元件采用 TO-220 封装，增强了有效散热的能力。它的最大连续漏极电流为 120A，漏极-源极电压为 40V，可在苛刻的环境中提供出色的操作灵活性。该 MOSFET 可在很宽的温度范围内高效工作，因此适用于汽车和工业应用。

特点和优势


• P 沟道增强模式确保高效开关性能

• 通过 AEC 认证，符合严格的汽车标准

• 最高工作温度为 +175°C ，可满足苛刻的要求

• MSL1 等级支持高温回流焊工艺

应用


• 用于汽车控制系统，实现高效电源管理

• 对机器人中的电机驱动有效

• 纳入工业机械的供电电路中

• 适用于要求体积小巧的消费电子产品

最大持续漏极电流额定值有何意义？


最大持续漏极电流额定值表示器件在正常工作条件下可处理的最高电流值，这对于确保要求高电流容量应用的可靠性至关重要。

低 Rds(on) 如何提高能效？


较低的 Rds（on）可降低运行时的功率损耗，使器件运行时温度更低，提高整体系统能效，这对电池供电设计尤为有利。

该组件为恶劣环境提供了哪些安全功能？


该器件经过 100% 的雪崩测试，确保能够承受瞬态条件而不发生故障，这对于保护汽车和工业应用等不可预测环境中的电路至关重要。

在将该组件集成到现有系统时，应考虑哪些性能特点？


应评估栅极阈值电压、最大栅源电压和热阻等关键特性，以确保与现有电路设计兼容，并优化性能。

工作温度范围如何提高其在不同应用中的可用性？


这款 MOSFET 的工作温度范围为 -55°C 至 +175°C，适用于从极寒环境到高温工作环境的各种应用。