Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 40 A, PQFN, 表面安装, 8引脚, IPZ40N04S55R4ATMA1, IPZ系列
- RS 库存编号:
- 229-1852
- 制造商零件编号:
- IPZ40N04S55R4ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 15 - 15 | RMB4.313 | RMB64.70 |
| 30 - 75 | RMB4.206 | RMB63.09 |
| 90 - 225 | RMB4.101 | RMB61.52 |
| 240 - 465 | RMB3.998 | RMB59.97 |
| 480 + | RMB3.898 | RMB58.47 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 229-1852
- 制造商零件编号:
- IPZ40N04S55R4ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 40A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 包装类型 | PQFN | |
| 系列 | IPZ | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 5.4mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 48W | |
| 正向电压 Vf | 1.1V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 17nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 长度 | 3.3mm | |
| 高度 | 1.05mm | |
| 宽度 | 3.3 mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 40A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
包装类型 PQFN | ||
系列 IPZ | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 5.4mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 48W | ||
正向电压 Vf 1.1V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 17nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
长度 3.3mm | ||
高度 1.05mm | ||
宽度 3.3 mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Infineon n 通道正常电平 MOSFET ，用于汽车应用。它具有 175°C 工作温度和 100% 雪崩测试。
它符合 RoHS 标准且符合 AEC Q101 标准