onsemi N型沟道 N型 MOSFET, Vds=500 V, 2 A, SOT-223, 表面安装, 3引脚, FDT4N50NZU, UniFET II系列
- RS 库存编号:
- 229-6327P
- 制造商零件编号:
- FDT4N50NZU
- 制造商:
- onsemi
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 20 - 90 | RMB6.941 |
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| 250 - 490 | RMB6.583 |
| 500 + | RMB6.442 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 229-6327P
- 制造商零件编号:
- FDT4N50NZU
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 2A | |
| 最大漏源电压 Vd | 500V | |
| 包装类型 | SOT-223 | |
| 系列 | UniFET II | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 3Ω | |
| 通道模式 | N | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 9.1nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 25 V | |
| 最大功耗 Pd | 2W | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 6.7mm | |
| 宽度 | 3.7 mm | |
| 高度 | 1.7mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 2A | ||
最大漏源电压 Vd 500V | ||
包装类型 SOT-223 | ||
系列 UniFET II | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 3Ω | ||
通道模式 N | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 9.1nC | ||
最大栅源电压 Vgs 25 V | ||
最大功耗 Pd 2W | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 6.7mm | ||
宽度 3.7 mm | ||
高度 1.7mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
ON Semiconductor UniFET II 高电压 MOSFET 基于 Advanced 平面磁条和 DMOS 技术。此 Advanced MOSFET 在平面 MOSFET 中具有最小的通态电阻，还提供卓越的切换性能和更高的雪崩能量强度。它适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正，平板显示屏，电视电源， ATX 和电子灯镇流器。
超低栅极电荷
通过 100% 雪崩测试
无铅−Ω
无卤素
符合 RoHS