onsemi N沟道MOSFET, Vds=650 V, Id=62 A, 7针, TO-263, SiC Power系列

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RS 库存编号:
229-6443
制造商零件编号:
NTBG045N065SC1
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

62A

最大漏源电压 Vd

650V

包装类型

TO-263

系列

SiC Power

安装类型

表面

引脚数目

7

最大漏源电阻 Rd

50mΩ

通道模式

N

正向电压 Vf

4.8V

最大功耗 Pd

242W

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

105nC

最大栅源电压 Vgs

22V

最高工作温度

175°C

标准/认证

No

宽度

4.7mm

长度

10.2mm

高度

9.4mm

汽车标准

否

ON Semiconductor SiC 电源系列 MOSFET 采用全新技术，与硅相比，可提供卓越的切换性能和更高的可靠性。此外，低接通电阻和紧凑型芯片尺寸可确保低电容和栅极电荷。

最高效

更快的操作频率

功率密度增加

降低的 EMI

系统尺寸减小

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