onsemi N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 203 A, TO-263, 表面安装, 7引脚, SiC Power系列
- RS 库存编号:
- 229-6446P
- 制造商零件编号:
- NTBGS004N10G
- 制造商:
- onsemi
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 10 - 98 | RMB40.795 |
| 100 - 248 | RMB39.53 |
| 250 - 498 | RMB38.685 |
| 500 + | RMB37.845 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 229-6446P
- 制造商零件编号:
- NTBGS004N10G
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 203A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 系列 | SiC Power | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 7 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 4.1mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 240W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 178nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 高度 | 9.4mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 10.2mm | |
| 宽度 | 4.7 mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 203A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
包装类型 TO-263 | ||
系列 SiC Power | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 7 | ||
最大漏源电阻 Rd 4.1mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 240W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 178nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最高工作温度 175°C | ||
高度 9.4mm | ||
标准/认证 No | ||
长度 10.2mm | ||
宽度 4.7 mm | ||
汽车标准 否 | ||
ON Semiconductor 功率 MOSFET 采用坚固技术，可提供最大可靠性。它专门设计用于 48 V 总线的宽 SOA 应用。
热交换容差，具有卓越的 SOA 曲线
符合 ROHS
减少传导损耗