onsemi N型沟道 N型 MOSFET, Vds=650 V, 10 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, SUPERFET III系列
- RS 库存编号:
- 229-6452
- 制造商零件编号:
- NTD360N65S3H
- 制造商:
- onsemi
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- 229-6452
- 制造商零件编号:
- NTD360N65S3H
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 10A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 系列 | SUPERFET III | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 360mΩ | |
| 通道模式 | N | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 17.5nC | |
| 最大功耗 Pd | 83W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30 V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 宽度 | 2.39 mm | |
| 高度 | 6.22mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 6.73mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 10A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
系列 SUPERFET III | ||
包装类型 TO-252 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 360mΩ | ||
通道模式 N | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 17.5nC | ||
最大功耗 Pd 83W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 30 V | ||
最高工作温度 175°C | ||
宽度 2.39 mm | ||
高度 6.22mm | ||
标准/认证 No | ||
长度 6.73mm | ||
汽车标准 否 | ||
功率 MOSFET，N 通道，SUPERFET® III，快速，650 V，10 A，360 mΩ，DPAK
SUPERFET III MOSFET 是安森美半导体的全新高电压超结（SJ）MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低接通电阻和低栅极电荷性能。这种先进技术旨在最大程度地减少导电损耗，提供卓越的切换性能，并可耐受极端的 dv/dt 率。因此，SUPERFET III FAST MOSFET 系列有助于最大程度地减少各种电源系统并提高系统效率。
特性
• 700 V @ TJ = 150°C
• 超低栅极电荷（典型值Qg = 17.5 nC）
• 低有效输出电容（典型值Coss（有效值）= 180 pF）
• 快速切换性能，带坚固的主体二极管
• 100% 雪崩测试
• 符合 RoHS 标准
• 典型值导通电阻 = 296 mΩ
• 栅内阻：0.9