onsemi N型沟道 N型 MOSFET, Vds=800 V, 8 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, SUPERFET III系列
- RS 库存编号:
- 229-6456P
- 制造商零件编号:
- NTD600N80S3Z
- 制造商:
- onsemi
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 10 - 95 | RMB17.06 |
| 100 - 245 | RMB16.526 |
| 250 - 495 | RMB16.176 |
| 500 + | RMB15.822 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 229-6456P
- 制造商零件编号:
- NTD600N80S3Z
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 8A | |
| 最大漏源电压 Vd | 800V | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 系列 | SUPERFET III | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 600mΩ | |
| 通道模式 | N | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 15.5nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 60W | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 长度 | 6.73mm | |
| 高度 | 6.22mm | |
| 宽度 | 2.39 mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 8A | ||
最大漏源电压 Vd 800V | ||
包装类型 TO-252 | ||
系列 SUPERFET III | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 600mΩ | ||
通道模式 N | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 15.5nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 60W | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最高工作温度 175°C | ||
长度 6.73mm | ||
高度 6.22mm | ||
宽度 2.39 mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
ON Semiconductor SUPERFET III 系列 MOSFET 在开关电源应用中具有出色的性能，如便携式计算机适配器，音频，照明， ATX 电源和工业电源，因此可用于更高效，紧凑，更冷却和更坚固的应用。
低温运行时系统可靠性更高
低切换损耗
ESD 功能改进，带齐纳二极管
优化电容