onsemi N沟道MOSFET, Vds=650 V, Id=55 A, 4针, TO-247, SiC Power系列
- RS 库存编号:
- 229-6459
- 制造商零件编号:
- NTH4L045N065SC1
- 制造商:
- onsemi
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- 229-6459
- 制造商零件编号:
- NTH4L045N065SC1
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 55A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 系列 | SiC Power | |
| 包装类型 | TO-247 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 50mΩ | |
| 通道模式 | N | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 22V | |
| 正向电压 Vf | 4.4V | |
| 最大功耗 Pd | 187W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 105nC | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 长度 | 15.8mm | |
| 高度 | 22.74mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 5.2mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 55A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
系列 SiC Power | ||
包装类型 TO-247 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻 Rd 50mΩ | ||
通道模式 N | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 22V | ||
正向电压 Vf 4.4V | ||
最大功耗 Pd 187W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 105nC | ||
最高工作温度 175°C | ||
长度 15.8mm | ||
高度 22.74mm | ||
标准/认证 No | ||
宽度 5.2mm | ||
汽车标准 否 | ||
ON Semiconductor SiC 电源系列 MOSFET 采用全新技术，与硅相比，可提供卓越的切换性能和更高的可靠性。此外，低接通电阻和紧凑型芯片尺寸可确保低电容和栅极电荷。
最高效
更快的操作频率
功率密度增加
降低的 EMI
系统尺寸减小
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