onsemi N沟道MOS管, Vds=650 V, 46 A, TO-247-4, 通孔安装, 4引脚, SiC Power系列
- RS 库存编号:
- 229-6463
- 制造商零件编号:
- NTH4L060N090SC1
- 制造商:
- onsemi
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 9 | RMB65.19 |
| 10 - 49 | RMB63.24 |
| 50 - 99 | RMB61.97 |
| 100 - 224 | RMB60.73 |
| 225 + | RMB59.52 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 229-6463
- 制造商零件编号:
- NTH4L060N090SC1
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 46 A | |
| 最大漏源电压 | 650 V | |
| 封装类型 | TO-247-4 | |
| 系列 | SiC Power | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻值 | 0.084 Ω | |
| 最大栅阈值电压 | 4.3V | |
| 晶体管材料 | SiC | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 46 A | ||
最大漏源电压 650 V | ||
封装类型 TO-247-4 | ||
系列 SiC Power | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻值 0.084 Ω | ||
最大栅阈值电压 4.3V | ||
晶体管材料 SiC | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
ON Semiconductor SiC 电源系列 MOSFET 采用全新技术，与硅相比，可提供卓越的切换性能和更高的可靠性。此外，低接通电阻和紧凑型芯片尺寸可确保低电容和栅极电荷。
最高效
更快的操作频率
功率密度增加
降低的 EMI
系统尺寸减小
更快的操作频率
功率密度增加
降低的 EMI
系统尺寸减小