onsemi N型沟道 P型 MOSFET, Vds=120 V, 79 A, SO-8, 表面安装, 8引脚, NTMFS008N12MCT1G, NTMF系列
- RS 库存编号:
- 229-6467
- 制造商零件编号:
- NTMFS008N12MCT1G
- 制造商:
- onsemi
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | RMB17.242 | RMB86.21 |
| 10 - 95 | RMB16.726 | RMB83.63 |
| 100 - 245 | RMB16.206 | RMB81.03 |
| 250 - 495 | RMB15.864 | RMB79.32 |
| 500 + | RMB15.518 | RMB77.59 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 229-6467
- 制造商零件编号:
- NTMFS008N12MCT1G
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 79A | |
| 最大漏源电压 Vd | 120V | |
| 包装类型 | SO-8 | |
| 系列 | NTMF | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 20mΩ | |
| 通道模式 | P | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 33nC | |
| 最大功耗 Pd | 102W | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 宽度 | 1.1 mm | |
| 高度 | 5.3mm | |
| 长度 | 6.3mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 79A | ||
最大漏源电压 Vd 120V | ||
包装类型 SO-8 | ||
系列 NTMF | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 20mΩ | ||
通道模式 P | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 33nC | ||
最大功耗 Pd 102W | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最高工作温度 175°C | ||
宽度 1.1 mm | ||
高度 5.3mm | ||
长度 6.3mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
ON Semiconductor N 通道功率 MOSFET 扁平引线封装设计用于紧凑型高效设计，包括高热性能。它可用于开关电源，电源开关，电池管理和保护。
有效减少传导损耗
有效减少驱动器损耗
符合 RoHS