onsemi N型沟道 N型 MOSFET, Vds=100 V, 110 A, PQFN, 表面安装, 8引脚, NTMFS系列
- RS 库存编号:
- 229-6473P
- 制造商零件编号:
- NTMFS7D8N10GTWG
- 制造商:
- onsemi
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 10 - 98 | RMB27.77 |
| 100 - 248 | RMB26.915 |
| 250 - 498 | RMB26.335 |
| 500 + | RMB25.765 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 229-6473P
- 制造商零件编号:
- NTMFS7D8N10GTWG
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 110A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 系列 | NTMFS | |
| 包装类型 | PQFN | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 7.6mΩ | |
| 通道模式 | N | |
| 正向电压 Vf | 0.84V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 92nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 187W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 宽度 | 1.1 mm | |
| 长度 | 5mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 6mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 110A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
系列 NTMFS | ||
包装类型 PQFN | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 7.6mΩ | ||
通道模式 N | ||
正向电压 Vf 0.84V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 92nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 187W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最高工作温度 175°C | ||
宽度 1.1 mm | ||
长度 5mm | ||
标准/认证 No | ||
高度 6mm | ||
汽车标准 否 | ||
ON Semiconductor N 通道 MOSFET 采用 Advanced 电源沟道工艺生产，该工艺包含屏蔽栅极技术。此过程已经过优化，可最大程度降低导通电阻，同时使用同类最佳的软主体二极管保持优异的切换性能。
有效减少传导损耗
高 Peak UIS 电流容量，坚固耐用
无卤
无铅