onsemi N型沟道 N型 MOSFET, Vds=650 V, 16 A, TDFN, 表面安装, 8引脚, SUPERFET III系列

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229-6481
制造商零件编号:
NTMT190N65S3H
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

16A

最大漏源电压 Vd

650V

系列

SUPERFET III

包装类型

TDFN

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

190mΩ

通道模式

N

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1.2V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

31nC

最大栅源电压 Vgs

30 V

最大功耗 Pd

129W

最高工作温度

175°C

标准/认证

No

宽度

1.1 mm

长度

8.1mm

高度

8.1mm

汽车标准

ON Semiconductor−FET 系列是全新高电压超结 MOSFET ,利用电荷平衡技术实现卓越的低接通电阻和更低栅极电荷性能。此 Advanced 技术专为有效减少传导损耗而设计,提供卓越的切换性能,并可耐受极端 dv/dt 速率。

低有效输出电容

通过 100% 雪崩测试

低温运行时系统可靠性更高

无铅−Ω

符合 RoHS