onsemi N型沟道 N型 MOSFET, Vds=650 V, 16 A, TDFN, 表面安装, 8引脚, NTMT190N65S3H, SUPERFET III系列
- RS 库存编号:
- 229-6482
- 制造商零件编号:
- NTMT190N65S3H
- 制造商:
- onsemi
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | RMB24.875 | RMB49.75 |
| 10 - 98 | RMB24.13 | RMB48.26 |
| 100 - 248 | RMB23.385 | RMB46.77 |
| 250 - 498 | RMB22.885 | RMB45.77 |
| 500 + | RMB22.39 | RMB44.78 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 229-6482
- 制造商零件编号:
- NTMT190N65S3H
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 16A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 包装类型 | TDFN | |
| 系列 | SUPERFET III | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 190mΩ | |
| 通道模式 | N | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 31nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30 V | |
| 最大功耗 Pd | 129W | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 高度 | 8.1mm | |
| 长度 | 8.1mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 1.1 mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 16A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
包装类型 TDFN | ||
系列 SUPERFET III | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 190mΩ | ||
通道模式 N | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 31nC | ||
最大栅源电压 Vgs 30 V | ||
最大功耗 Pd 129W | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
高度 8.1mm | ||
长度 8.1mm | ||
标准/认证 No | ||
宽度 1.1 mm | ||
汽车标准 否 | ||
ON Semiconductor−FET 系列是全新高电压超结 MOSFET ，利用电荷平衡技术实现卓越的低接通电阻和更低栅极电荷性能。此 Advanced 技术专为有效减少传导损耗而设计，提供卓越的切换性能，并可耐受极端 dv/dt 速率。
低有效输出电容
通过 100% 雪崩测试
低温运行时系统可靠性更高
无铅−Ω
符合 RoHS