onsemi N型沟道 N型 MOSFET, Vds=150 V, 175 A, DFN, 表面安装, 8引脚, NTMTS4D3N15MC
- RS 库存编号:
- 229-6485
- 制造商零件编号:
- NTMTS4D3N15MC
- 制造商:
- onsemi
可享批量折扣
小计（1 包，共 2 件）*
¥98.68
(不含税)
¥111.50
(含税)
最后的 RS 库存
- 最终 934 个，准备发货
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | RMB49.34 | RMB98.68 |
| 10 - 98 | RMB47.86 | RMB95.72 |
| 100 - 248 | RMB46.385 | RMB92.77 |
| 250 - 498 | RMB45.40 | RMB90.80 |
| 500 + | RMB44.41 | RMB88.82 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 229-6485
- 制造商零件编号:
- NTMTS4D3N15MC
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 175A | |
| 最大漏源电压 Vd | 150V | |
| 包装类型 | DFN | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 5mΩ | |
| 通道模式 | N | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 79nC | |
| 最大功耗 Pd | 293W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 长度 | 8.1mm | |
| 宽度 | 1.2 mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 8.5mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 175A | ||
最大漏源电压 Vd 150V | ||
包装类型 DFN | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 5mΩ | ||
通道模式 N | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 79nC | ||
最大功耗 Pd 293W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最高工作温度 175°C | ||
长度 8.1mm | ||
宽度 1.2 mm | ||
标准/认证 No | ||
高度 8.5mm | ||
汽车标准 否 | ||
ON Semiconductor N 通道 MOSFET 采用 Advanced 电源沟道工艺生产，该工艺包含屏蔽栅极技术。此过程经优化可耐受有效减少通态电阻，但仍保持卓越的切换性能。
有效减少传导损耗
高 Peak 电流和低寄生电感
为具有热挑战的应用提供更宽的设计余量
减少切换峰值