onsemi N型沟道 N型 MOSFET, Vds=150 V, 175 A, DFN, 表面安装, 8引脚, NTMTS4D3N15MC

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229-6485
制造商零件编号:
NTMTS4D3N15MC
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

175A

最大漏源电压 Vd

150V

包装类型

DFN

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

5mΩ

通道模式

N

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1.2V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

79nC

最大功耗 Pd

293W

最高工作温度

175°C

标准/认证

No

长度

8.1mm

高度

8.5mm

汽车标准

否

ON Semiconductor N 通道 MOSFET 采用 Advanced 电源沟道工艺生产，该工艺包含屏蔽栅极技术。此过程经优化可耐受有效减少通态电阻，但仍保持卓越的切换性能。

有效减少传导损耗

高 Peak 电流和低寄生电感

为具有热挑战的应用提供更宽的设计余量

减少切换峰值

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