onsemi N沟道MOS管, Vds=650 V, 19 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, SUPERFET III系列
- RS 库存编号:
- 229-6495
- 制造商零件编号:
- NTPF165N65S3H
- 制造商:
- onsemi
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | RMB30.80 | RMB61.60 |
| 10 - 98 | RMB29.875 | RMB59.75 |
| 100 - 248 | RMB28.945 | RMB57.89 |
| 250 - 498 | RMB28.34 | RMB56.68 |
| 500 + | RMB27.72 | RMB55.44 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 229-6495
- 制造商零件编号:
- NTPF165N65S3H
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 19 A | |
| 最大漏源电压 | 650 V | |
| 封装类型 | TO-220 | |
| 系列 | SUPERFET III | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 0.165 Ω | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 19 A | ||
最大漏源电压 650 V | ||
封装类型 TO-220 | ||
系列 SUPERFET III | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 0.165 Ω | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
ON Semiconductor−FET 系列是全新高电压超结 MOSFET ，利用电荷平衡技术实现卓越的低接通电阻和更低栅极电荷性能。此 Advanced 技术专为有效减少传导损耗而设计，提供卓越的切换性能，并可耐受极端 dv/dt 速率。
低有效输出电容
通过 100% 雪崩测试
低温运行时系统可靠性更高
无铅−Ω
符合 RoHS