制造商编号

STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=1200 V, Id=60 A, 4针, Hip-247, SCTW系列

RS 库存编号:: 230-0094
制造商零件编号:: SCTWA60N120G2-4
制造商:: STMicroelectronics

STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=1200 V, Id=60 A, 4针, Hip-247, SCTW系列

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制造商:: STMicroelectronics

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	STMicroelectronics
	槽架类型	N
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	60A
	最大漏源电压 Vd	1200V
	系列	SCTW
	包装类型	Hip-247
	安装类型	通孔
	引脚数目	4
	最大漏源电阻 Rd	52mΩ
	通道模式	增强
	最低工作温度	-55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	22nC
	最大功耗 Pd	388W
	正向电压 Vf	3V
	最大栅源电压 Vgs	22V
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	No
	长度	15.9mm
	宽度	5.1mm
	高度	21.1mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 STMicroelectronics
	槽架类型 N
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 60A
	最大漏源电压 Vd 1200V
	系列 SCTW
	包装类型 Hip-247
	安装类型通孔
	引脚数目 4
	最大漏源电阻 Rd 52mΩ
	通道模式增强
	最低工作温度 -55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 22nC
	最大功耗 Pd 388W
	正向电压 Vf 3V
	最大栅源电压 Vgs 22V
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 No
	长度 15.9mm
	宽度 5.1mm
	高度 21.1mm
	汽车标准否

Datasheet - SCTWA60N120G2-4

STMicroelectronics SCTWA60N 是一款碳化硅功率 MOSFET 器件，采用 ST 的 Advanced 和创新的第 2 代 SiC MOSFET 技术开发而成。该设备的单位面积具有极低的接通电阻和非常好的切换性能。切换损耗的变化几乎与接点温度无关。

非常快速且坚固的本征主体二极管

极低的栅极电荷和输入电容

源感应引脚，用于提高效率

STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=1200 V, Id=60 A, 4针, Hip-247, SCTW系列

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