onsemi N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=150 V, 75.4 A, TO-263, 表面安装, 4引脚, NTB011N15MC, NTB01系列
- RS 库存编号:
- 230-9079
- 制造商零件编号:
- NTB011N15MC
- 制造商:
- onsemi
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | RMB28.485 | RMB56.97 |
| 10 - 98 | RMB27.635 | RMB55.27 |
| 100 - 248 | RMB26.805 | RMB53.61 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 230-9079
- 制造商零件编号:
- NTB011N15MC
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 75.4A | |
| 最大漏源电压 Vd | 150V | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 系列 | NTB01 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 10.9mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 136.4W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 37nC | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 长度 | 10.67mm | |
| 高度 | 15.88mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 4.83 mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 75.4A | ||
最大漏源电压 Vd 150V | ||
包装类型 TO-263 | ||
系列 NTB01 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻 Rd 10.9mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 136.4W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 37nC | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
长度 10.67mm | ||
高度 15.88mm | ||
标准/认证 No | ||
宽度 4.83 mm | ||
汽车标准 否 | ||
ON Semiconductor MOSFET - N 通道屏蔽栅极功率沟道 MOSFET ，具有 150 V 的漏极至源电压
优化的切换性能
VGS = mΩ V ， ID = 75.4 A 时，最大 RDS (接通) = 10.9 m Ω
业内最低的 Qrr 和最柔软的主体二极管，可实现卓越的低噪声切换
Qrr 比其他 MOSFET 供应商低 50%
高效率，具有更低的切换峰值和 EMI
降低切换噪声/EMI
改进的切换 FOM ，尤其是 Qgd
经过 100% UIL 测试
无需或更少的减震器