onsemi N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 40 A, H-PSOF, 表面安装, 4引脚, NTBL082N65S3HF, SUPERFET III系列
- RS 库存编号:
- 230-9083
- 制造商零件编号:
- NTBL082N65S3HF
- 制造商:
- onsemi
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 9 | RMB65.08 |
| 10 - 99 | RMB63.12 |
| 100 - 249 | RMB61.24 |
| 250 - 499 | RMB59.40 |
| 500 + | RMB57.63 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 230-9083
- 制造商零件编号:
- NTBL082N65S3HF
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 40A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 系列 | SUPERFET III | |
| 包装类型 | H-PSOF | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 82mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 313W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 79nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 长度 | 10.2mm | |
| 标准/认证 | Pb-Free Halide free non AEC-Q and PPAP | |
| 高度 | 13.28mm | |
| 宽度 | 2.4 mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 40A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
系列 SUPERFET III | ||
包装类型 H-PSOF | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻 Rd 82mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 313W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 79nC | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
最高工作温度 175°C | ||
长度 10.2mm | ||
标准/认证 Pb-Free Halide free non AEC-Q and PPAP | ||
高度 13.28mm | ||
宽度 2.4 mm | ||
汽车标准 否 | ||
ON Semiconductor−SUPERFET III MOSFET 是 ON Semiconductor 的全新高电压−Ω 接点 (SJ) MOSFET 系列−，它利用电荷平衡技术实现卓越的低接通电阻和更低栅极电荷性能。这种先进的技术专门用于最大限度地降低传导损耗，提供卓越的切换性能，并能承受极端的 dv/dt 速率。因此， SUPERFET III MOSFET 非常适用于各种电源系统，以实现小型化和更高效率。
高功率密度
Kelvin 源配置
低栅极噪声和切换损耗
优化的电容
更低的峰值 VDS 和更低的 VGS 振荡
湿度敏感性等级 1 保证
在潮湿环境条件下具有高可靠性