onsemi N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 62 A, TO-247, 表面安装, 4引脚, NTH4LN040N65S3H, SUPERFET III系列

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制造商零件编号:
NTH4LN040N65S3H
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

62A

最大漏源电压 Vd

650V

系列

SUPERFET III

包装类型

TO-247

安装类型

表面

引脚数目

4

最大漏源电阻 Rd

40mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

20 V

正向电压 Vf

1.3V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

132nC

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

379W

最高工作温度

175°C

长度

10.2mm

标准/认证

No

宽度

2.4 mm

高度

13.28mm

汽车标准

ON Semiconductor−SUPERFET III MOSFET 是新的高电压−Ω 接点 (SJ) MOSFET 系列,利用电荷平衡技术实现卓越的低接通电阻和更低的栅极电荷性能。这种先进的技术专门用于最大限度地降低传导损耗,提供卓越的切换性能,并能承受极端的 dv/dt 速率。因此, SUPERFET III MOSFET FAST 系列有助于有效减少各种电源系统并提高系统效率。

经过 100% 雪崩测试

符合 RoHS

典型值 RDS (接通) = 32 mΩ m Ω

内部栅极电阻: 0.7 Ω

超低栅极电荷 (典型值 QG = 132 nC)

TJ = 150 oC 时为 700 V