onsemi N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=600 V, 57 A, TO-247, 表面安装, 3引脚, NTHL041N60S5H, SUPERFET V系列
- RS 库存编号:
- 230-9087
- 制造商零件编号:
- NTHL041N60S5H
- 制造商:
- onsemi
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 9 | RMB62.97 |
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| 100 - 249 | RMB57.47 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 230-9087
- 制造商零件编号:
- NTHL041N60S5H
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 57A | |
| 最大漏源电压 Vd | 600V | |
| 系列 | SUPERFET V | |
| 包装类型 | TO-247 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 41mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 108nC | |
| 最大功耗 Pd | 329W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30 V | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 高度 | 41.07mm | |
| 标准/认证 | Pb-Free, RoHS | |
| 长度 | 15.87mm | |
| 宽度 | 4.82 mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 57A | ||
最大漏源电压 Vd 600V | ||
系列 SUPERFET V | ||
包装类型 TO-247 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 41mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 108nC | ||
最大功耗 Pd 329W | ||
最大栅源电压 Vgs 30 V | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
高度 41.07mm | ||
标准/认证 Pb-Free, RoHS | ||
长度 15.87mm | ||
宽度 4.82 mm | ||
汽车标准 否 | ||
ON Semiconductor 系列 SUPERFET V MOSFET 是 ON Semiconductor 的第五代高电压超−Ω 接点 (SJ) MOSFET 系列。SUPERFET V 可提供−Ω−类 FOM (RDS (接通)·QG 和 RDS (接通)·EOSS) 中最佳的 Ω ，不仅可提高大负载，还可提高轻负载效率。600 V SUPERET V 系列通过减少传导和切换损耗提供设计优势，同时支持 120 V/ns 的极端 MOSFET DVD/dt 额定值。因此， SUPERFET V MOSFET FAST 系列有助于最大程度提高系统效率和功率密度。
经过 100% 雪崩测试
符合 RoHS
典型值 RDS (接通) = 32.8 mΩ m Ω
内部栅极电阻： 0.6 Ω
超低栅极电荷 (典型值 QG = 108 nC)