onsemi N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=600 V, 33 A, TO-247, 表面安装, 3引脚, NTHL099N60S5, SUPERFET V系列

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制造商零件编号:
NTHL099N60S5
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

33A

最大漏源电压 Vd

600V

包装类型

TO-247

系列

SUPERFET V

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

99mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

48nC

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1.2V

最大栅源电压 Vgs

30 V

最大功耗 Pd

184W

最高工作温度

175°C

宽度

4.82 mm

标准/认证

No

长度

15.87mm

高度

41.07mm

汽车标准

ON Semiconductor 系列 SUPERFET V MOSFET 是 ON Semiconductor 的第五代高电压超−Ω 接点 (SJ) MOSFET 系列。SUPERFET V 可提供−Ω−类 FOM (RDS (接通)·QG 和 RDS (接通)·EOSS) 中最佳的 Ω ,不仅可提高大负载,还可提高轻负载效率。600 V SUPERET V 系列通过减少传导和切换损耗提供设计优势,同时支持 120 V/ns 的极端 MOSFET DVD/dt 额定值和 50 V/ns 的高主体二极管 DVD/dt 额定值。因此, SUPERFET V MOSFET Easy Drive 系列结合了出色的切换性能,同时不影响硬切换和软切换拓扑的易用性。它有助于管理 EMI 问题,并通过出色的系统效率简化设计实施。

超低栅极电荷 (典型值 QG= 48 nC)

低切换损耗

与时间相关的低输出电容 (典型值 Coss (tr) = 642 pF)

低切换损耗

优化的电容

更低的峰值 VDS 和更低的 VGS 振荡

650 V @ TJ = 150°C

典型值 RDS (接通) = 79.2 m Ω

经过 100% 雪崩测试

符合 RoHS

内部栅极电阻: 6.9 Ω

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。