onsemi , 2 P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 4.5 A, SOIC, 表面安装, 8引脚, NTMC0系列
- RS 库存编号:
- 230-9091
- 制造商零件编号:
- NTMC083NP10M5L
- 制造商:
- onsemi
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小计（1 卷，共 2500 件）*
¥8,290.00
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 2500 - 5000 | RMB3.316 | RMB8,290.00 |
| 7500 - 35000 | RMB3.15 | RMB7,875.00 |
| 37500 + | RMB3.024 | RMB7,560.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 230-9091
- 制造商零件编号:
- NTMC083NP10M5L
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 4.5A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 包装类型 | SOIC | |
| 系列 | NTMC0 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 83mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | |
| 最大功耗 Pd | 3.1W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 5nC | |
| 正向电压 Vf | 0.8V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS Compliant | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
槽架类型 P型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 4.5A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
包装类型 SOIC | ||
系列 NTMC0 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 83mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs ±20 V | ||
最大功耗 Pd 3.1W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 5nC | ||
正向电压 Vf 0.8V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS Compliant | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
汽车标准 否 | ||
ON Semiconductor 双 N 沟道和 P 沟道 MOSFET 具有 100 V 的漏极至源电压它通常用于同步整流和直流 - 直流转换。
体积小 (5 x 6 mm) ，用于紧凑型设计
低传导损耗
低 RDS（接通），可最大限度地减少传导损耗
标准印迹
低 QG 和低电容可最大限度地减少驱动器损耗
该部件不受 ESD 保护
−器件无铅，无卤素 / 无 BFR ，且符合 RoHS 标准