Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 47 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, CoolSiC系列
- RS 库存编号:
- 232-0382
- 制造商零件编号:
- IMW65R027M1HXKSA1
- 制造商:
- Infineon
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- 232-0382
- 制造商零件编号:
- IMW65R027M1HXKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 47A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 包装类型 | TO-247 | |
| 系列 | CoolSiC | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 34mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 47A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
包装类型 TO-247 | ||
系列 CoolSiC | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 34mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon SiC MOSFET采用TO247 3引脚封装，提供可靠且经济高效的性能。CoolSiC MOSFET技术利用了碳化硅的强大物理特性，增加了独特的功能，提高了器件的性能、稳健性和易用性。MOSFET 650V建立在先进的沟槽半导体上，经过优化，在应用中获得最低的损耗，在运行中获得高可靠性。
低电容
更高电流下的优化开关行为
卓越的栅极氧化层可靠性
优异的热性能
增加耐雪崩能力
与标准驱动程序一起使用