Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 58 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, CoolSiC系列
- RS 库存编号:
- 232-0386P
- 制造商零件编号:
- IMW65R030M1HXKSA1
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计 5 件 (按管提供)*
¥407.15
(不含税)
¥460.10
(含税)
有库存
- 另外 56 件在 2025年12月22日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 5 - 9 | RMB81.43 |
| 10 - 14 | RMB79.86 |
| 15 - 19 | RMB78.22 |
| 20 + | RMB76.69 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 232-0386P
- 制造商零件编号:
- IMW65R030M1HXKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 58A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 包装类型 | TO-247 | |
| 系列 | CoolSiC | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 42mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 58A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
包装类型 TO-247 | ||
系列 CoolSiC | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 42mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon 具有 SiC MOSFET ，以 TO247 3 引脚封装提供可靠且经济高效的性能。CoolSiC MOSFET 技术利用了碳化硅的强大物理特性，增加了独特的功能，可提高设备的性能，坚固性和易用性。MOSFET 650V 基于最先进的沟道半导体构建，经过优化可在应用中实现最低损耗和最高操作可靠性方面不受影响。
低电容
优化了高电流时的切换行为
卓越的栅极氧化物可靠性
极佳的热行为
增强的耐雪崩能力
可与标准驱动程序一起使用