Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 59 A, TO-247, 通孔安装, 4引脚, IMZA65R027M1HXKSA1, CoolSiC系列
- RS 库存编号:
- 232-0401P
- 制造商零件编号:
- IMZA65R027M1HXKSA1
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计 5 件 (按管提供)*
¥435.65
(不含税)
¥492.30
(含税)
有库存
- 另外 106 件在 2025年12月22日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 5 - 9 | RMB87.13 |
| 10 - 14 | RMB85.39 |
| 15 - 19 | RMB83.70 |
| 20 + | RMB82.03 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 232-0401P
- 制造商零件编号:
- IMZA65R027M1HXKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 59A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 系列 | CoolSiC | |
| 包装类型 | TO-247 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 34mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 59A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
系列 CoolSiC | ||
包装类型 TO-247 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻 Rd 34mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon 具有 SiC MOSFET ，以 TO247 4 引脚封装提供可靠且经济高效的性能。650 V CoolSiC MOSFET 提供性能，可靠性和易用性的独特组合。它适用于高温和恶劣操作，可实现最高效的简化和经济部署。MOSFET 采用 TO247 4 引脚封装，可减少对栅极电路的寄生源电感效应，实现更快的切换和更高的效率。
低电容
优化了高电流时的切换行为
卓越的栅极氧化物可靠性
极佳的热行为
增强的耐雪崩能力
可与标准驱动程序一起使用