Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=600 V, 10 A, LSON, 表面安装, 8引脚, IGLD60R190D1AUMA3, CoolGaN系列
- RS 库存编号:
- 232-0419
- 制造商零件编号:
- IGLD60R190D1AUMA3
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 9 | RMB43.14 |
| 10 - 99 | RMB42.28 |
| 100 - 249 | RMB41.46 |
| 250 - 499 | RMB40.59 |
| 500 + | RMB39.83 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 232-0419
- 制造商零件编号:
- IGLD60R190D1AUMA3
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 10A | |
| 最大漏源电压 Vd | 600V | |
| 系列 | CoolGaN | |
| 包装类型 | LSON | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 190mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 10A | ||
最大漏源电压 Vd 600V | ||
系列 CoolGaN | ||
包装类型 LSON | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 190mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon 600V 增强型功率晶体管提供快速打开和关闭速度，最小切换损耗，并可实现简单的半桥拓扑，具有最高效率。Gallium nitride CoolGaN 600V 系列符合全面的 GaN 定制认证，远远超出现有标准。它可提高系统效率，提高功率密度并实现更高的工作频率。
超快切换
无反向恢复电荷
能够反向传导
低栅极电荷，低输出电荷
出色的换向坚固性