Infineon N沟道MOSFET, Vds=60 V, Id=135 A, 8针, SO-8, OptiMOS 5系列

RS 库存编号:: 232-6753P
制造商零件编号:: ISC0702NLSATMA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道MOSFET, Vds=60 V, Id=135 A, 8针, SO-8, OptiMOS 5系列

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RS 库存编号:: 232-6753P
制造商零件编号:: ISC0702NLSATMA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	N
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	135A
	最大漏源电压 Vd	60V
	包装类型	SO-8
	系列	OptiMOS 5
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	3.5mΩ
	最大功耗 Pd	100W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	56nC
	最低工作温度	-55°C
	最大栅源电压 Vgs	20V
	正向电压 Vf	1.1V
	最高工作温度	175°C
	长度	6.1mm
	高度	5.35mm
	标准/认证	No
	宽度	1.2mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 N
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 135A
	最大漏源电压 Vd 60V
	包装类型 SO-8
	系列 OptiMOS 5
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 3.5mΩ
	最大功耗 Pd 100W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 56nC
	最低工作温度 -55°C
	最大栅源电压 Vgs 20V
	正向电压 Vf 1.1V
	最高工作温度 175°C
	长度 6.1mm
	高度 5.35mm
	标准/认证 No
	宽度 1.2mm
	汽车标准否

Datasheet - ISC0702NLSATMA1

Infineon OptiMOS 5系列MOSFET,60V最大漏源电压,135A最大连续漏电流 - ISC0702NLSATMA1

这款 MOSFET 是一款高电流 N 沟道功率晶体管,专为需要高效开关和耐热性的表面贴装应用而设计。它能在宽温度范围内运行,适用于严苛电子系统中的电力转换和开关功能。

特性和优点：

• 导通电阻低至3.5mΩ，可降低导通损耗
• 额定连续漏电流为 135A,支持重负载
• 60V 漏源电压可实现更高电压功率级
• 100W 功耗,可实现持久的热负载
• 56nC 典型栅极电荷可提供高效的切换转换
• 20V 栅极阈值可适应宽栅极驱动振幅

应用

• 适用于DC-DC转换器的N通道功率级
• 与高电流表面贴装电源配合使用
• 适用于转换器中的紧凑型 SO-8 电源模块
• 可用于电源系统中的通用开关
• 适用于高电流功率晶体管的替换

它在运行过程中可承受的环境范围是多少?

它的工作温度范围为 -55°C 至 175°C。

封装提供多少引脚用于 PCB 安装?

它采用 8 针 SO-8 表面贴装封装。

哪些正向传导特性会影响导电降压?

该设备的正向电压为 1.1V,可影响接通状态下降电压。

设计人员应考虑哪些物理足迹限制?

该封装长度为 6.1mm,高度为 5.35mm,宽度为 1.2mm。

它采用哪种通道类型和安装方式?

它采用N通道架构,适用于表面安装。