Infineon N沟道MOS管, Vds=100 V, 97 A, SuperSO8 5 x 6, 贴片安装, 8引脚, OptiMOS™ 5系列
- RS 库存编号:
- 232-6767
- 制造商零件编号:
- ISC0806NLSATMA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | RMB16.695 | RMB33.39 |
| 10 - 98 | RMB16.395 | RMB32.79 |
| 100 - 248 | RMB16.10 | RMB32.20 |
| 250 - 498 | RMB15.80 | RMB31.60 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 232-6767
- 制造商零件编号:
- ISC0806NLSATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 97 A | |
| 最大漏源电压 | 100 V | |
| 系列 | OptiMOS™ 5 | |
| 封装类型 | SuperSO8 5 x 6 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻值 | 0.0054 O ， 0.0071 O | |
| 最大栅阈值电压 | 2.3V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 97 A | ||
最大漏源电压 100 V | ||
系列 OptiMOS™ 5 | ||
封装类型 SuperSO8 5 x 6 | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻值 0.0054 O ， 0.0071 O | ||
最大栅阈值电压 2.3V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
晶体管材料 Si | ||
Infineon 的 OptiMOS PD 功率 MOSFET 100 V 专为 USB-PD 和适配器应用而设计。它采用 SuperSO8 封装，可提供快速上升和优化的交付时间。用于功率输送的 OptiMOS 低压 MOSFET 使设计能够减少部件，从而降低 BOM 成本。OptiMOS PD 采用紧凑轻便的封装，提供优质产品。
逻辑级别可用性
极佳的热行为
通过 100% 雪崩测试
极佳的热行为
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