Infineon N沟道MOSFET, Vds=80 V, Id=64 A, 8针, PQFN, OptiMOS 5系列

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包装方式：
RS 库存编号:
232-6769
制造商零件编号:
ISZ0602NLSATMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

64A

最大漏源电压 Vd

80V

包装类型

PQFN

系列

OptiMOS 5

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

9.9mΩ

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

29nC

最大功耗 Pd

60W

正向电压 Vf

1V

最大栅源电压 Vgs

20V

最高工作温度

175°C

高度

3.4mm

宽度

1.1mm

标准/认证

No

长度

3.4mm

汽车标准

否

Infineon 的 OptiMOS PD 功率 MOSFET 80 V 专为 USB-PD 和适配器应用而设计。它的 PQFN 3.3x3.3 封装提供快速上升和优化的交付时间。用于功率输送的 OptiMOS 低压 MOSFET 使设计能够减少部件，从而降低 BOM 成本。OptiMOS PD 采用紧凑轻便的封装，提供优质产品。

逻辑级别可用性

极佳的热行为

通过 100% 雪崩测试

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