Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=80 V, 64 A, PQFN, 表面安装, 8引脚, ISZ0602NLSATMA1, OptiMOS 5系列
- RS 库存编号:
- 232-6769
- 制造商零件编号:
- ISZ0602NLSATMA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | RMB10.922 | RMB54.61 |
| 10 - 95 | RMB10.65 | RMB53.25 |
| 100 - 245 | RMB10.384 | RMB51.92 |
| 250 - 495 | RMB10.126 | RMB50.63 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 232-6769
- 制造商零件编号:
- ISZ0602NLSATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 64A | |
| 最大漏源电压 Vd | 80V | |
| 系列 | OptiMOS 5 | |
| 包装类型 | PQFN | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 9.9mΩ | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 29nC | |
| 最大功耗 Pd | 60W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 长度 | 3.4mm | |
| 宽度 | 1.1 mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 3.4mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 64A | ||
最大漏源电压 Vd 80V | ||
系列 OptiMOS 5 | ||
包装类型 PQFN | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 9.9mΩ | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 29nC | ||
最大功耗 Pd 60W | ||
最高工作温度 175°C | ||
长度 3.4mm | ||
宽度 1.1 mm | ||
标准/认证 No | ||
高度 3.4mm | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon 的 OptiMOS PD 功率 MOSFET 80 V 专为 USB-PD 和适配器应用而设计。它的 PQFN 3.3x3.3 封装提供快速上升和优化的交付时间。用于功率输送的 OptiMOS 低压 MOSFET 使设计能够减少部件，从而降低 BOM 成本。OptiMOS PD 采用紧凑轻便的封装，提供优质产品。
逻辑级别可用性
极佳的热行为
通过 100% 雪崩测试